2021年10月4日（月）オンライン開催。

委員会・研究会資料

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第７回委員会

開催時刻：12:45～13:00

＜議題＞

(1) 第6回委員会 議事録案確認
(2) 第2回拡大企画委員会 (12月開催) について（塩島企画幹事長、德田企画副幹事長）
(3) フォーラムに関して（12月開催 塩島企画幹事長、德田企画副幹事長）
(4) 次回第8回委員会・第7回研究会（2月開催）について（WG-M 筑根委員）
(5) 次々回　第9回委員会・第8回研究会（4月開催）について（WG-B 德田委員）
(6) その他

第６回研究会

13:00～13:05　挨拶　田畑 仁　(東京大学、R025先進薄膜界面機能創成委員会 委員長)
13:05～13:15　本日の研究会について　岩澤 和明 (東京エレクトロン㈱、WG-Pリーダー)

13:15～14:00 「ReRAMスイッチのその場TEM観察による動作機構解明」
　　　　　　　北海道大学　有田 正志^○、福地 厚、高橋 庸夫
14:00～14:45 「磁気トンネル接合素子を活用した高性能・省エネルギー不揮発LSIの開発」　
　　　　　　　東北大学　夏井 雅典
14:45～15:30 「不揮発性SRAM：エッジコンピューティングの革新的低消費電力技術」　
　　　　　　　東京工業大学　塩津 勇作^○、山本 修一郎、菅原 聡

15:30～15:45　休憩

15:45～16:30 「PCRAM用カルコゲナイド系相変化材料の開発動向」
　　　　　　　産業技術総合研究所　斎藤 雄太
16:30～17:15 「HfO₂系強誘電体薄膜を用いた新規メモリデバイスの現状と課題」
　　　　　　　東京大学　小林 正治

研究会担当委員：
R025先進薄膜機能創成委員会 WG-P (プロセス装置、システム)
代表者　岩澤和明 kazuaki.iwasawa@tel.com (東京エレクトロン)